UM8517P

Symbol Micros: TUM8517p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 1,4A; 300mW; -55°C ~ 150°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Union Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UNION Hersteller-Teilenummer: UM8517P RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2897 0,1589 0,1042 0,0939 0,0830
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Union Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole