VNB20N07-E
Symbol Micros:
TVNB20n07
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Transistor OMNI-FET; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55°C ~ 150°C; VNB20N07TR-E
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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