VNB35N07
Symbol Micros:
TVNB35n07
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 35A 70V 28mΩ 125W VNB35N07-E(50pcs/tube), VNB35N0713TR(1000pcs/Tape&Reel), VNB35N07TR-E(1000pcs/TR
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
Max. Drainstrom: | 35A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
Transistor-Typ: | OMNI-FET |
Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
Max. Drainstrom: | 35A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
Transistor-Typ: | OMNI-FET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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