VNB35N07
Symbol Micros:
TVNB35n07
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
OMNI-FET-Transistor; 70V; 35mOhm; 35A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VNB35N07-E; VNB35N0713TR; VNB35N07TR-E;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNB35N07-E RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,6302 | 4,7661 | 4,2454 | 3,9091 | 3,7783 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNB35N07TR-E
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,7783 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNB35N07TR-E
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
81000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,7783 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VNB35N07TR-E
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
78000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,7783 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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