VND10N06
Symbol Micros:
TVND10n06
Gehäuse: TO252
N-MOSFET 10A 60V 35W 0.3Ω
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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