VND14NV04-E

Symbol Micros: TVND14nv04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET 12A 40V

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: OMNI-FET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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