VND5N07-1-E
Symbol Micros:
TVND5n07-1-e
Gehäuse: TO251 (IPACK)
OMNI-FET 5A 70V 0.2Ω 60W
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 70V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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