VND5N07-E

Symbol Micros: TVND5n07-e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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OMNI-FET 5A 70V 0.2Ω 60W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VND5N07-E RoHS Gehäuse: TO252 Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 150+
Nettopreis (EUR) 2,1567 1,6473 1,4580 1,3739 1,3482
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Standard-Verpackung:
75/150
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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