VND7N04
Symbol Micros:
TVND7n04
Gehäuse: TO252
OMNI-FET 7A 42V 0.06Ω
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 560mOhm |
Max. Drainstrom: | 7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 42V |
Transistor-Typ: | OMNI-FET |
Widerstand im offenen Kanal: | 560mOhm |
Max. Drainstrom: | 7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 42V |
Transistor-Typ: | OMNI-FET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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