VND7NV04
Symbol Micros:
TVND7nv04
Gehäuse: TO252
OMNI-FET-Transistor; 40V; 120 mOhm; 6A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND7NV04-E; VND7NV04TR-E;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VND7NV04TR-E
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8611 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VND7NV04TR-E
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
285000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8419 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: VND7NV04TR-E
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
25000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8410 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | OMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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