VNP10N07-E

Name: TVNP10n07 TVNP10n07
Brand: ST
SKU: TVNP10n07
Price: 1.3963 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TVNP10n07

Gehäuse: TO220

OMNI-FET-Transistor; 70V; 140 mOhm; 10A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	70V
Transistor-Typ:	OMNI-FET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP10N07-E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

38 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,2332	1,8302	1,5955	1,4509	1,3963

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP10N07-E Gehäuse: TO220

Externes Lager:

23250 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3963

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP10N07-E Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5970 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7764

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP10N07-E Gehäuse: TO220

Externes Lager:

664 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3963

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	70V
Transistor-Typ:	OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT