VNP35N07-E

Symbol Micros: TVNP35n07-e
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Gehäuse: TO220
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Tranzystor MOSFET, Kanał N, 18 A, 80 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: VNP35N07-E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,9722 3,5446 3,2876 3,1217 3,0563
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: OMNI-FET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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