VNS1NV04D-E
Symbol Micros:
TVNS1nv04d
Gehäuse: SOP08
2xOMNI-FET-Transistor; 40V; 500 mOhm; 1,7A; 4W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR; VNS1NV04DP-E; VNS1NV04DPTR-E;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 500mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 4W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | 2xOMNI-FET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 500mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 4W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | 2xOMNI-FET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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