WPM2015

Symbol Micros: TWPM2015 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: WPM2015-3/TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,2186 0,1031 0,0575 0,0461 0,0397
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Standard-Verpackung:
300
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: WPM2015-HXY RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2305 0,1155 0,0687 0,0571 0,0512
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD

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