XP231P02013R-G

Name: TXP231P02013R-G TXP231P02013R-G
Brand: TOREX
SKU: TXP231P02013R-G
Price: 0.0519 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TXP231P02013R-G

Gehäuse: SOT323

P-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 8Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	Torex
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: TOREX Hersteller-Teilenummer: XP231P02013R-G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	5+	15+	75+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,2337	0,1334	0,0756	0,0587	0,0519

Hersteller: TOREX Hersteller-Teilenummer: XP231P02013R-G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

485 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	485+	2425+
Nettopreis (EUR)	0,2337	0,1184	0,0714	0,0568	0,0519

Widerstand im offenen Kanal:	8Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	Torex
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD