XP231P02013R-G

Symbol Micros: TXP231P02013R-G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Torex
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: TOREX Hersteller-Teilenummer: XP231P02013R-G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 5+ 15+ 75+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,2319 0,1324 0,0751 0,0583 0,0515
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Standard-Verpackung:
15
Hersteller: TOREX Hersteller-Teilenummer: XP231P02013R-G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
485 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 485+ 2425+
Nettopreis (EUR) 0,2319 0,1175 0,0709 0,0564 0,0515
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Standard-Verpackung:
485
Widerstand im offenen Kanal: 8Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Torex
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD

Symbol Micros

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