XPH6R30ANB,L1XHQ

Symbol Micros: TXPH6R30ANB,L1XHQ
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Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
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Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9,5mOhm; 45A; 132W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 132W
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: XPH6R30ANB,L1XHQ RoHS KA4.. Gehäuse: SOP08 Advance (5x5) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,2848 1,9047 1,6879 1,5830 1,5224
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 132W
Gehäuse: SOP08 Advance (5x5)
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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