BTW69-1000RG

Symbol Micros: TY050btw69-1000
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
Es = 50A; Vdrm=1000V; Igt=80mA

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Parameter
Gehäuse: TO 3P
Gatestrom: 80mA
Strom: 50A
Spannung: 1000V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gehäuse: TO 3P
Gatestrom: 80mA
Strom: 50A
Spannung: 1000V