YJL2303A-F2-0000HF

Symbol Micros: TYJL2303A-F2-0000HF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; -30V; 20V; 85mOhm; 3A; 1,1 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 100nA
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung: -30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: YJL2303A-F2-0000HF RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1549 0,0736 0,0413 0,0314 0,0282
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 100nA
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung: -30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD