ZVN2106A DIODES INCORPORATED

Symbol Micros: TZVN2106A Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 450mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 450mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVN2106A RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6644 0,4173 0,3474 0,3077 0,2891
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVN2106A Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2891
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 450mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT