ZVN2106A DIODES INCORPORATED
Symbol Micros:
TZVN2106A Diodes
Gehäuse: TO92
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 450mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 450mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZVN2106A RoHS
Gehäuse: TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6644 | 0,4173 | 0,3474 | 0,3077 | 0,2891 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZVN2106A
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2891 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 450mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole