ZVN2110GTA Diodes
Symbol Micros:
TZVN2110g
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4Ohm; 500mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
Max. Drainstrom: | 500mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Zetex
Hersteller-Teilenummer: ZVN2110GTA RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6295 | 0,3972 | 0,3113 | 0,2834 | 0,2741 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
Max. Drainstrom: | 500mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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