ZVNL120A DIODES
Symbol Micros:
TZVNL120a
Gehäuse: TO92
N-MOSFET 200V 180mA 700mW 10Ω
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 180mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 180mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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