ZVP2106A

Symbol Micros: TZVP2106A Diodes
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Gehäuse: TO92
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVP2106A RoHS Gehäuse: TO92bul  
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500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8223 0,5180 0,4065 0,3694 0,3577
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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