ZXM61P03FTA

Symbol Micros: TZXM61p03f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXM61P03FTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3178 0,1680 0,1304 0,1203 0,1152
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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