ZXM61P03FTA

Symbol Micros: TZXM61p03f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 550 mOhm; 1,1A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXM61P03FTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3171 0,1676 0,1301 0,1201 0,1149
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXM61P03FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1149
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXM61P03FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1149
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXM61P03FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
312000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1149
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD