ZXMN10A08DN8TA

Symbol Micros: TZXMN10a08dn8
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN10A08DN8TA RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8786 0,6449 0,5164 0,4440 0,4183
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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