ZXMN10B08E6

Symbol Micros: TZXMN10b08e6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-6
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 500 mOhm; 1,9A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: ZXMN10B08E6TA;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN10B08E6TA Pbf 10B8 Gehäuse: SOT23-6/t/r Datenblatt
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6422 0,4031 0,3164 0,2883 0,2789
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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