ZXMN2A14FTA DIODES
Symbol Micros:
TZXMN2a14f
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 110mOhm; 4.1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Zetex
Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A14FTA RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2658 | 0,1422 | 0,1105 | 0,1000 | 0,0968 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A14FTA
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2079 |
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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