ZXMN2A14FTA DIODES

Symbol Micros: TZXMN2a14f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 110mOhm; 4.1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A14FTA RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2658 0,1422 0,1105 0,1000 0,0968
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A14FTA Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2079
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD