ZXMN2A14FTA DIODES

Symbol Micros: TZXMN2a14f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 110mOhm; 4.1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZXMN2A14FTA RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2667 0,1427 0,1109 0,1004 0,0971
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD