ZXMN2F30FHTA
Symbol Micros:
TZXMN2f30fh
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Zetex |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN2F30FHTA RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4453 | 0,2448 | 0,1926 | 0,1781 | 0,1709 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN2F30FHTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1709 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN2F30FHTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1709 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN2F30FHTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1709 |
Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Zetex |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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