ZXMN3F30FHTA

Symbol Micros: TZXMN3f30fhta
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 4,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZXMN3F30FHTA RoHS KNA Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
490 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3235 0,1793 0,1416 0,1287 0,1245
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD