ZXMN6A07FTA

Symbol Micros: TZXMN6a07f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 350 mOhm; 1,4A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FTA RoHS 7N6 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4905 0,2728 0,2149 0,2027 0,1962
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
129000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1962
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1962
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
1893000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1962
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD