ZXMN6A07FTA
Symbol Micros:
TZXMN6a07f
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 350 mOhm; 1,4A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 350mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 806mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FTA RoHS 7N6
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4905 | 0,2728 | 0,2149 | 0,2027 | 0,1962 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
129000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1962 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1962 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1893000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1962 |
Widerstand im offenen Kanal: | 350mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 806mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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