ZXMN6A08E6TA DIODES
Symbol Micros:
TZXMN6a08e6
Gehäuse: SOT26
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 3,5A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT26 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT26 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole