ZXMN6A09GTA DIODES

Symbol Micros: TZXMN6a09g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 7,5A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A09GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9211 0,6117 0,5063 0,4570 0,4383
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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