ZXMP10A13FTA Diodes

Symbol Micros: TZXMP10A13F
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,45 Ohm; 700mA; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,45Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1760 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4826 0,2914 0,2247 0,2028 0,1930
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
87000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1930
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
138000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1930
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1930
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,45Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 806mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD