ZXMP10A13FTA Diodes
Symbol Micros:
TZXMP10A13F
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,45 Ohm; 700mA; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,45Ohm |
Max. Drainstrom: | 700mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 806mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1760 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,4826 | 0,2914 | 0,2247 | 0,2028 | 0,1930 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
87000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1930 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
138000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1930 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1930 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,45Ohm |
Max. Drainstrom: | 700mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 806mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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