ZXMP10A17GTA
Symbol Micros:
TZXMP10a17g
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 450 mOhm; 2,4A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 450mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,9W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A17GTA RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1214 | 0,8230 | 0,6598 | 0,5665 | 0,5339 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A17GTA
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5339 |
Widerstand im offenen Kanal: | 450mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,9W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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