ZXMP10A17GTA

Symbol Micros: TZXMP10a17g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 450 mOhm; 2,4A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A17GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1518 0,8453 0,6777 0,5819 0,5484
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD