ZXMP4A16GTA DIODES

Symbol Micros: TZXMP4a16g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 100 mOhm; 6,4A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 6,4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A16GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
130 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7379 0,4685 0,3678 0,3303 0,3209
Standard-Verpackung:
300
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A16GTA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3209
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A16GTA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3209
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 6,4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD