ZXMP4A16GTA DIODES
Symbol Micros:
TZXMP4a16g
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 100 mOhm; 6,4A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
Max. Drainstrom: | 6,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,9W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A16GTA RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
130 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7379 | 0,4685 | 0,3678 | 0,3303 | 0,3209 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A16GTA
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3209 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A16GTA
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3209 |
Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
Max. Drainstrom: | 6,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,9W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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