ZXMP4A57E6TA

Symbol Micros: TZXMP4a57e6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT26
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P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 150 mOhm; 3,7A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT26
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP4A57E6TA RoHS Gehäuse: SOT26 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6047 0,3820 0,3024 0,2742 0,2625
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Standard-Verpackung:
1100
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT26
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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