ZXMP6A13GTA

Symbol Micros: TZXMP6a13g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 595 mOhm; 2,3A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 595mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A12GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7055 0,4477 0,3539 0,3211 0,3070
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 595mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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