ZXMP6A13GTA

Symbol Micros: TZXMP6a13g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 595 mOhm; 2,3A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 595mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A12GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7029 0,4460 0,3526 0,3199 0,3059
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A13GTA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
46000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3059
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A13GTA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3059
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 595mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3,9W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD