ZXMP6A17E6TA

Symbol Micros: TZXMP6A17E6TA

Gehäuse: SOT23-6

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 190 mOhm; 3A; 1,92 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,92W
Gehäuse:	SOT23-6
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A17E6TA Gehäuse: SOT23-6

Externes Lager:

69000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1626

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,92W
Gehäuse:	SOT23-6
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD