ZXTN2011ZTA

Symbol Micros: TZXTN2011ZTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2,1W
Grenzfrequenz: 130MHz
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 4,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXTN2011ZTA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7719 0,4884 0,3859 0,3526 0,3359
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXTN2011ZTA Gehäuse: SOT89  
Externes Lager:
23000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3359
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXTN2011ZTA Gehäuse: SOT89  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3359
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2,1W
Grenzfrequenz: 130MHz
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 4,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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