ZXTN2012G

Symbol Micros: TZXTP2012g

Gehäuse: SOT223t/r

PNP 5.5A 60V 3W 120MHz PNP 5.5A 60V 3W 120MHz

Parameter

Verlustleistung:	3W
Grenzfrequenz:	120MHz
Stromverstärkungsfaktor:	300
Hersteller:	Zetex
Gehäuse:	SOT223t/r
Max. Kollektor-Strom [A]:	5,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXTP2012GTA RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8645	0,5491	0,4322	0,3949	0,3762

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXTP2012GTA Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

16000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3762

Verlustleistung:	3W
Grenzfrequenz:	120MHz
Stromverstärkungsfaktor:	300
Hersteller:	Zetex
Gehäuse:	SOT223t/r
Max. Kollektor-Strom [A]:	5,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP