UMW817C-S

Symbol Micros: OOPC817cltvs UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
einzelner CTR 200-400 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Äquivalent: LTV-817S-C; EL817S(C); EL817S1(C)(TU)-F; FOD817CS; FOD817CSD;

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Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: PC817C-S RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2063 0,1043 0,0629 0,0497 0,0458
Standard-Verpackung:
2000
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V