LM358P HXY MOSFET

Symbol Micros: WO358 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP08
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Dualer Operationsverstärker, Voff 2 mV, ±2,5 ÷ ± 12 V, 0 ÷ 70 °C Ersatz für: LM358N, LM358P, LM358PE3 LM358PE4, LM358NG, LM358N/NOPB, AS358AP-E1, LM358L-D08-T

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Parameter
Betriebsspannung: 2,5V ~ 12V
Gehäuse: PDIP08
Hersteller: HXY MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): 0°C ~ 70°C
Integrierten Schaltkreises-Typ: Operationsverstärker
Anzahl der Kanäle: 2
Montage: THT
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: LM358P RoHS Gehäuse: PDIP08 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2455 0,1340 0,1017 0,0793 0,0699
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Standard-Verpackung:
50/500
Betriebsspannung: 2,5V ~ 12V
Gehäuse: PDIP08
Hersteller: HXY MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): 0°C ~ 70°C
Integrierten Schaltkreises-Typ: Operationsverstärker
Anzahl der Kanäle: 2
Montage: THT

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