600- und 700-Volt-Superjunction-MOSFETs mit hoher Leistungsdichte
2022-03-04
Die αMOS5-Transistoren in DFN 8x8-Gehäusen zeichnen sich durch eine um fast 60% kleinere Gehäusefläche im Vergleich zum D2Pak-Standard aus, und ihre Dicke von 0,9 mm ist um 80% geringer.
Die reduzierte Source-Induktivität sorgt für geringere Gate-Schwingungen und geringere Einschaltverluste (Eon). Eine Kelvin-Source-Anschlussleitung ermöglicht zusätzlich die Reduzierung der Verluste im Impulsbetrieb. Die αMOS5-Transistoren in DFN 5x6-Gehäusen beanspruchen 61% weniger Fläche als Transistoren in DPak-Gehäusen. Ihre Dicke beträgt nur 0,75 mm, was 67% weniger ist als die Dicke von DPAK-Gehäusen. Wie bei den DFN 8x8-Versionen ist auch hier die geringe Source-Induktivität vorteilhaft, was den Einsatz in schnellen Schaltkreisen ermöglicht.
| SYMBOL | BESCHREIBUNG |
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N-Kanal αMOS5-Transistor; 600V; 20V; 210mOhm; 20A; 208W; -55°C ~ 150°C; |
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N-Kanal αMOS5-Transistor; 700V; 20V; 660mOhm; 9,6A; 138W; -55°C ~ 150°C; |
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N-Kanal aMOS Transistor; 700V; 20V; 1,6 Ohm; 4,6A; 78W; -55°C ~ 150°C; |
