BSC030N04NSGATMA1 transistor from Infineon Technologies

Micros offer has been expanded to include the BSC030N04NSGATMA1 transistor from Infineon Technologies.

Der BSC030N04NSGATMA1 ist ein 8-poliger unipolarer N-MOSFET-Transistor. Er wurde in der OptiMOS™3-Technologie gefertigt. Er zeichnet sich durch hohe Effizienz und thermische Widerstandsfähigkeit aus, kombiniert mit einem hervorragenden Verhältnis von Gate-Ladung zu R_DS(on) sowie einem sehr niedrigen Einschaltwiderstand. Er wird in DC/DC-Wandlern und anderen Anwendungen eingesetzt.

Das Produkt ist im TDSON-Gehäuse erhältlich und für die Oberflächenmontage vorgesehen. Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 40V. Die maximale Verlustleistung liegt bei 83W. Der Transistor arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C.