BSS84P - 3-poliger, niederohmiger P-MOSFET-Transistor von Infineon
2020-08-10
Der BSS84P ist ein 3-poliger, niederohmiger P-MOSFET-Transistor, der in SIPMOS-Technologie hergestellt wird. Er ist im SOT-23-Gehäuse erhältlich und für die Oberflächenmontage konzipiert. Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 60 V, während der maximale Drain-Strom 170 mA beträgt. Die Verlustleistung liegt bei 360 mW. Das Gerät arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.
Der BSS84P wird hauptsächlich eingesetzt in
- Elektronik für den Endverbraucher
- Energieverwaltung
- Tragbaren Geräten