FQP32N20C - P-MOSFET-Mosfet-Transistor von ON Semiconductor

Das Angebot von Microsa wurde um den Transistor FQP32N20C erweitert.

Der FQP32N20C ist ein 3-poliger P-MOSFET-Transistor, der in DMOS-Technologie hergestellt wird. Diese Technologie wird eingesetzt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu verringern und um hervorragende Schaltleistungen sowie eine hohe Avalanche-Leistung zu gewährleisten. Das Gerät ist im TO-220FP-Gehäuse erhältlich und für die Durchsteckmontage konzipiert. Die Drain-Source-Spannung beträgt 100 V, während der maximale Drain-Strom 13,2 A beträgt. Das Produkt wird in Schaltnetzteilen, aktiver Leistungsfaktor-Korrektur (PFC) und in Vorschaltgeräten für elektronische Lampen eingesetzt.