P-Channel MOSFET-Transistor mit ausgezeichneten Strombelastungsparametern
Der IRF9317TRPBF ist ein P-Kanal-MOSFET-Transistor, der von International Rectifier (heute Teil von Infineon Technologies) hergestellt wird. Es handelt sich um ein leistungsstarkes Halbleiterbauelement, das für Anwendungen entwickelt wurde, die einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine hohe Stromleitungskapazität erfordern. Er zeichnet sich durch eine niedrige Schwellenspannung und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus, was ihn zur idealen Wahl für Anwendungen wie Schaltnetzteile, DC-DC-Wandler, Motorsteuerungsschaltungen und verschiedene energieeffiziente Geräte macht.
Eigenschaften des IRF9317TRPBF:
- Transistortyp: P-Kanal-MOSFET
- Niedrige Schwellenspannung (VGS(th)): Ermöglicht effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Steuerspannungen.
- Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)): Reduziert Leistungsverluste und verbessert die Energieeffizienz im Vergleich zu anderen Transistoren.
- Hohe Stromleitungskapazität: Kann hohe Ströme leiten und ist daher ein effizientes Bauelement für Hochleistungsanwendungen.
- Hohe Temperaturbeständigkeit: Funktioniert in einem weiten Temperaturbereich und sorgt für Zuverlässigkeit unter schwierigen Bedingungen.
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit hohen Betriebsfrequenzen.
Anwendungsbereiche des IRF9317TRPBF:
- Schaltnetzteile (SMPS): Häufig in Stromversorgungsschaltungen wie DC-DC-Wandlern eingesetzt, wo geringe Leistungsverluste und schnelles Schalten entscheidend sind.
- Motorsteuerung: Aufgrund seiner Zuverlässigkeit und Effizienz wird er in Motorsteuerungsschaltungen verwendet, insbesondere in Anwendungen, die eine präzise Leistungsregelung erfordern.
- Energieeffiziente Anwendungen: Ideal für den Einsatz in Geräten, die eine hohe Energieeffizienz erfordern, z. B. Energiemanagementsysteme.
- Schutzschaltungen: Wird in Systemen eingesetzt, die Schutz vor Überspannungen und Überströmen benötigen, um Stabilität zu gewährleisten.
- Leistungswandler: Aufgrund seiner hochwertigen Eigenschaften findet er Anwendung in verschiedenen Arten von Wandlern, einschließlich Leistungswandlern für mobile Geräte und Hochleistungsnetzteile.
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SYMBOL | BESCHREIBUNG |
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10,2 mOhm; 16A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9317TRPBF; IRF9317PBF; IRF7317PBF-GURT; |