Transistoren 4N32SM, H11G1M und FOD817D von ON Semiconductor

Das Angebot von Micros wurde um die Transistoren 4N32SM, H11G1M und FOD817D von ON Semiconductor erweitert. 

Im Microsa-Katalog finden Sie Einzel-, Doppel-, Vierfach-, Reflex- und Schalttransistoren. Die vorgestellten Produkte sind Einzeltransistoren (einzelne Kanäle). Jeder Kanal besteht aus einer Infrarot-LED aus Galliumarsenid und einem Silizium-Fototransistor. Diese Geräte sind mit 4-poligen Gehäusen für die Oberflächenmontage ausgestattet, mit Optionen für Flügelmontage und Endmontage. Die LED ist mit einem Silizium-Fototransistor verbunden, der mit einem Darlington-Schaltkreis gekoppelt ist, der einen integrierten Emitter-Base-Widerstand zur Optimierung der Parameter bei erhöhten Temperaturen aufweist.

Die Produkte zeichnen sich durch eine hohe Empfindlichkeit gegenüber niedrigem Eingangsstrom sowie durch hohe Wechselspannungen aus, die keine elektrische Durchschlagisolierung des Optokopplers verursachen. Diese Spannung variiert für die angebotenen Geräte und liegt zwischen 4170 Vrms und 7500 Vrms. Der FOD817D arbeitet bei Temperaturen von -30 °C bis +100 °C, während die 4N32SM und H11G1M von -40 °C bis +100 °C betrieben werden können.

Die angebotenen Optokoppler finden Anwendung in:

• Stromversorgungsreglern;
• Mikroprozessorgehäusen;
• Telekommunikationsgeräten;
• Halbleiterrelais;
• Isolation von Netzteilen;
• Kopplungsschaltungen mit unterschiedlichen Potenzialen und Impedanzen.