Zuverlässiger P-MOSFET-Transistor
2022-01-12
IRF4905PBF ist ein einzelner P-Kanal-Leistungs-HEXFET-Transistor mit -55V, der in einem TO-220AB-Gehäuse untergebracht ist.
Dieses Produkt zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche und dynamische dV/dt-Parameter aus. Es ist robust, bietet schnelles Schalten und vollständige Avalanche-Charakteristik. Dieser MOSFET ist bekannt für seine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit, die in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann.
SYMBOL | BESCHREIBUNG |
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P-Kanal-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF4905PBF IRF4905STRLPBF |
SPEZIFIKATION | |
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Hersteller | INFINEON-TECHNOLOGIEN |
Transistor-Typ | P-MOSFET |
Technologie | HEXFET® |
Polarisierung | unipolar |
Drain-Source-Spannung | -55V |
Ableitstrom | -74A |
Abgeleitete Leistung | 200W |
Gehäuse | TO220AB |
Gate-zu-Source-Spannung | ±20V |
Widerstand im leitenden Zustand | 20mΩ |
Montage | THT |
Gateway-Gebühr | 120nC |
Art des Kanals | angereichert |