Fotorezystor PGM5616D

Symbol Micros: ORRPGM5616D
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: Rys.PGM5616D
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=5-10kR; 1lx(min)=1MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=100mW;
Parametry
Właściwości: Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=5k-10k
Moc: 0,1W
Napięcie pracy: 150V
Długość fali (nm): 560nm
Temperatura pracy (zakres): -30°C ~ 70°C
Producent: import Symbol producenta: PGM5616D RoHS Obudowa dokładna: Rys.PGM5616D  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5390 0,3700 0,3280 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Właściwości: Rezystancja przy oświetleniu: 10lx=5k-10k
Moc: 0,1W
Napięcie pracy: 150V
Długość fali (nm): 560nm
Temperatura pracy (zakres): -30°C ~ 70°C