ZXMN4A06GTA DIODES
Symbol Micros:
TZXMN4a06g
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 75mOhm; 7A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 75mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7A |
Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 75mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7A |
Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |