ZXMN6A09GTA DIODES
Symbol Micros:
TZXMN6a09g
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 7,5A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Zetex
Symbol producenta: ZXMN6A09GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
90 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9300 | 2,6100 | 2,1600 | 1,9500 | 1,8700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |